Samsung rompe el concepto de semiconductor
Por Mario Vincenzo La Rocca
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Traducido automáticamente del original en inglés Leer el original
Unos investigadores han producido un nuevo material basado en nitruro de boro amorfo, formado por una sola capa de átomos, que puede revolucionar la tecnología de semiconductores de silicio
El Samsung Advanced Institute of Technology (SAIT) ha trabajado recientemente en el desarrollo de materiales cristalinos 2D con una sola capa de átomos. El primer objetivo fue el grafeno, un material basado en el carbono con excelentes propiedades electrónicas y físicas. Uno de los resultados es el desarrollo de un transistor revolucionario, junto con el diseño de nuevos métodos de producción a gran escala. La experiencia previa ha permitido al SAIT investigar otros materiales, como el nitruro de boro.
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La investigación, en colaboración entre el SAIT, el Ulsan National Institute of Science and Technology (UNIST) y la Universidad de Cambridge, produjo un material llamado nitruro de boro amorfo. El estudio se publicó en la revista Nature y representa una gran oportunidad para acelerar el desarrollo de la nueva generación de semiconductores. El material está formado por átomos de boro y nitrógeno dispuestos en el espacio sin un orden predeterminado, conceptualmente opuesto al grafeno. El nitruro de boro amorfo tiene la constante dieléctrica más baja entre los materiales de su clase.
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El material tiene además excelentes propiedades mecánicas y eléctricas y puede utilizarse como aislante de interconexión para minimizar las interferencias electrónicas en los semiconductores comunes. El nitruro de boro amorfo se obtiene en forma de oblea a bajas temperaturas (por debajo de 400 °C). Estas características lo hacen ideal para aplicaciones de semiconductores como la DRAM (memoria de PC), la NAND (memoria flash) y las memorias de servidores de gran tamaño. Seongjun Park, vicepresidente y director del Inorganic Material Lab del SAIT, promete: «Seguiremos desarrollando nuevos materiales para liderar el cambio de paradigma de los semiconductores».
