Samsung bouleverse la conception des semi-conducteurs

Des chercheurs ont produit un nouveau matériau à base de nitrure de bore amorphe constitué d'une seule couche d'atomes, capable de révolutionner la technologie des semi-conducteurs au silicium

Le Samsung Advanced Institute of Technology (SAIT) a récemment travaillé au développement de matériaux cristallins 2D à une seule couche d'atomes. La première cible était le graphène, un matériau à base de carbone aux excellentes propriétés électroniques et physiques. L'un des résultats est la mise au point d'un transistor révolutionnaire ainsi que la conception de nouvelles méthodes de production à grande échelle. L'expérience acquise a permis au SAIT d'étudier d'autres matériaux, comme le nitrure de bore.

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La recherche, menée en collaboration entre le SAIT, l'Ulsan National Institute of Science and Technology (UNIST) et l'Université de Cambridge, a produit un matériau appelé nitrure de bore amorphe. L'étude a été publiée dans la revue Nature et représente une grande opportunité d'accélérer le développement de la nouvelle génération de semi-conducteurs. Le matériau est constitué d'atomes de bore et d'azote disposés dans l'espace sans ordre prédéterminé, conceptuellement à l'opposé du graphène. Le nitrure de bore amorphe a la constante diélectrique la plus faible parmi les matériaux de sa catégorie.

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Le matériau possède aussi d'excellentes propriétés mécaniques et électriques et peut être utilisé comme isolant d'interconnexion pour minimiser les interférences électroniques dans les semi-conducteurs courants. Le nitrure de bore amorphe s'obtient sous forme de tranche (wafer) à basse température (inférieure à 400 °C). Ces caractéristiques le rendent idéal pour les applications des semi-conducteurs telles que la DRAM (mémoire des PC), la NAND (mémoire flash) et les grandes mémoires de serveurs. Seongjun Park, vice-président et responsable du laboratoire des matériaux inorganiques du SAIT, promet : « Nous continuerons à développer de nouveaux matériaux pour mener le changement de paradigme des semi-conducteurs ».