Samsung rivoluziona il concetto di semiconduttore

I ricercatori hanno prodotto un nuovo materiale a base di nitruro di boro amorfo, costituito da un singolo strato di atomi, che può rivoluzionare la tecnologia dei semiconduttori al silicio

Il Samsung Advanced Institute of Technology (SAIT) ha lavorato di recente allo sviluppo di materiali cristallini 2D con un singolo strato di atomi. Il primo obiettivo è stato il grafene, un materiale a base di carbonio con eccellenti proprietà elettroniche e fisiche. Uno dei risultati è lo sviluppo di un transistor rivoluzionario insieme alla progettazione di nuovi metodi di produzione su larga scala. L'esperienza maturata ha permesso al SAIT di indagare altri materiali, come il nitruro di boro.

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La ricerca, frutto della collaborazione tra il SAIT, l'Ulsan National Institute of Science and Technology (UNIST) e la University of Cambridge, ha prodotto un materiale chiamato nitruro di boro amorfo. Lo studio è stato pubblicato sulla rivista Nature e rappresenta una grande opportunità per accelerare lo sviluppo della nuova generazione di semiconduttori. Il materiale è costituito da atomi di boro e azoto disposti nello spazio senza un ordine predeterminato, concettualmente opposto al grafene. Il nitruro di boro amorfo ha la costante dielettrica più bassa tra i materiali della sua classe.

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Il materiale ha inoltre eccellenti proprietà meccaniche ed elettriche e può essere usato come isolante di interconnessione per ridurre al minimo le interferenze elettroniche nei semiconduttori comuni. Il nitruro di boro amorfo si ottiene sotto forma di wafer a basse temperature (inferiori a 400°C). Queste caratteristiche lo rendono ideale per applicazioni nei semiconduttori come DRAM (memoria dei PC), NAND (memoria flash) e memorie per grandi server. Seongjun Park, vicepresidente e responsabile dell'Inorganic Material Lab del SAIT, promette: «Continueremo a sviluppare nuovi materiali per guidare il cambio di paradigma dei semiconduttori».